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　　近日，中国电科48所第三代半导体装备研发取得重大突破，牵头申报的“大尺寸超高真空分子束外延技术与装备”项目k8凯发(中国)天生赢家，获得国家科技部“高性能制造技术与重大装备”重点专项立项。

　　分子束外延（MBE）装备是先进材料与芯片制造的核心“母机”。48所立足国家所需、行业所趋、电科所能，聚焦离子束、分子束、电子束“三束”技术，不断推动半导体装备核心技术研发与产业化k8凯发(中国)天生赢家k8凯发(中国)天生赢家，相继开发了单片4吋、6吋机型并实现应用，为研制大尺寸MBE装备打下了坚实技术基础。

　　该项目将由48所联合国内高校、研究所及专业公司协同攻关，利用48所的技术优势，充分发挥国家第三代半导体技术创新中心（湖南）平台作用，奋力突破一批关键核心技术与工艺难题k8凯发(中国)天生赢家，为实现我国MBE技术和装备的跨越式发展提供有力支撑k8凯发(中国)天生赢家。（校对/张轶群）常规半导体器件工艺残余应力参考零电极测量仪器超高真空外延技术插入损耗成功实现了残余应力情况彩色闭路电视彩色视频投影技术

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